PXB2048 相机搭载了1.2英寸的GSENSE2020BSI图像传感器，为了有效抑制传感器固有的热噪声，PXB2048特别配备了高效的制冷模块，能够将传感器的工作温度降低至比环境温度低35-40度，针对制冷相机常见的低温结雾问题，PXB2048设计了独特的防结雾机制，确保传感器和滤光片在低温环境下依然保持清晰，避免了因结雾导致的成像质量下降。此外，相机支持USB3和CameraLink两种超高速数据传输接口，满足不同应用场景下的高速数据传输需求。

PXB720分辨率39万像素，芯片尺寸1/2.9"。该相机采用 USB3.0接口，支持非压缩图像的快速实时传输，用户可通过客户端软件完成图像数据的采集以及各项参数的设置，包括工作模式和图像参数的调节等。这些特性使得该相机广泛应用于在工业和生命科学领域。

PXM-VS600的问世是弱光探测领域一次技术革命。独有的 18μm 背照式图像传感器，灵敏度较6.5μm 像元提升约 8倍，高温焊接真空密封方案，相较于普通密封方案，可靠性获得质的提升，制冷温差高达 60℃，也极大限度地阻止了暗电流的产生，同时读出噪声低至 0.45个电子，等效EMCCD，可应用光子能级的极限弱信号探测且不受乘性噪声，增益老化的因素影响。

产品特征：
· 800x600@120fps
· 18µm像元背照式sCMOS
· 0.45e-亚电子级读出噪声
· 零下40℃制冷，60℃制冷温差
· 0.007e-/s/pixel@-30℃暗电流

PXM-VS2048采用了全新背照式 sCMOS图像传感器，相机灵敏度和噪声获得重大突破，由于采用了自研高温焊接真空密封方案，相较于普通密封方案，可靠性获得质的提升，制冷温差高达 55℃，也极大限度地阻止了暗电流的产生，同时读出噪声低至 1.1个电子，提高了弱光探测能力。

产品特征：
· 2048x2048@100fps，6.5µm像元
· 内置多级TEC支持深度制冷
· 焊接真空密封工艺持久有效
· 低噪声电路设计
· 低至1.1个电子读出噪声
· 可见光量子效率＞95%，紫外量子效率＞50%

PXM-VS2560的问世是弱光探测领域一次技术革命。定制5.5μm 背照式图像传感器，非常适合显微成像和物理探测应用。高温焊接真空密封方案，相较于普通密封方案，可靠性获得质的提升，制冷温差高达 55℃，极大限度地阻止了暗电流的产生，低温暗电流低至0.002e-/s/pixel@-30℃，读出噪声低至 0.29个电子，等效qCMOS和 EMCCD，可应用光子能级的极限弱信号探测且不受乘性噪声，增益老化的因素影响。

产品特征：
· 2560x2048@240fps
· 5.5µm像元背照式sCMOS
· 0.29e-亚电子级读出噪声
· 55℃制冷温差真空温差
· 0.002e-/s/pixel@-30℃暗电流

VISNIR2048A 短波红外相机采用SONY SenSWIR铟镓砷芯片。在数据传输方面，提供了CameraLink、USB3及GigE等多种接口选项，满足不同应用场景下的高速数据传输需求。
为了保持稳定的工作性能，VISNIR2048A配备了内置TEC制冷片，制冷温度可达低于环境温度10℃-25℃。光谱响应范围覆盖400至1700nm的短波红外波段，同时，该相机还具有300万像素的高分辨率、高量子效率和低噪声等优点。

VISNIR1280A 短波红外相机采用SONY SenSWIR铟镓砷芯片。在数据传输方面，提供了CameraLink、USB3及GigE等多种接口选项，满足不同应用场景下的高速数据传输需求。
为了保持稳定的工作性能，VISNIR1280A配备了内置TEC制冷片，制冷温度可达低于环境温度10℃-25℃。光谱响应范围覆盖400至1700nm的短波红外波段，同时，该相机还具有130万像素的高分辨率、高量子效率和低噪声等优点。

NIR1280B 短波红外相机采用国产铟镓砷芯片。数据传输接口采用USB3，制冷温度可达低于环境温度40℃。光谱响应范围覆盖900至1700nm的短波红外波段，同时，该相机还具有130万像素的高分辨率、高量子效率和低噪声等优点。

NIR64B-U 短波红外相机采用国产铟镓砷芯片。数据传输接口采用USB3，制冷温度可达低于环境温度40℃。光谱响应范围覆盖900至1700nm的短波红外波段，同时，该相机还具有33万像素的高分辨率、高量子效率和低噪声等优点。

SOPHIA®具有超低噪声电子设备，高灵敏度（大于95%的量子效率）、速度和灵活性以及高达16 MHz的多端口读取功能和高帧率。ArcTec™技术无需冷却器或低温冷却器即可进行热电冷却。


大于95%的峰值量子效率

2 e-读出

快速、多端口读出

ArcTec™深度冷却

PIXIS相机是完全集成的低噪音相机，具有深度冷却功能，用于从紫外到近红外的定量科学成像和光谱。高量子效率和超低噪声电子设备使PIXIS相机成为苛刻的弱光应用的理想选择。

大约120-1100 nm的灵敏度

-90℃深度冷却

支持各种尺寸的CCD

灵活读出设计

PyLoN®支持1340×100到2048×2048的低温冷却CCD，具有灵活的读出设计，120-1100 nm的灵敏度，数字相关的双采样和偏置稳定功能。

120 – 1100 nm灵敏度

-120℃低温冷却

50 kHz – 4 MHz读出速度

超低噪声

BLAZE®是弱光光谱检测的理想相机，能够在可见光和近红外范围内提供极高的灵敏度。凭借低暗电流和速度快的特点，BLAZE在450 nm处的量子效率超过90%，在900 nm处为98%，在1000 nm处为75%。

95%的量子效率在1000 nm处保持75%的水平

在空气中可将温度冷却至-95℃，利用ArcTec™技术温度可真正达到-100℃

全部纵向合并高达1650光谱/秒

终生真空保证

PROEM®是一种高分辨率，反向释放的EMCCD，具有独家Excelon™3传感器技术，可在uv-nir范围内提供高灵敏度，同时降低eTaloning。该频谱速率高达20 kHz和单光子敏感性，该Pro是低光级应用的理想选择，例如高光谱拉曼成像和单分子荧光。

95%以上的量子效率

10 μm像素尺寸

100万像素图像阵列EMCCD

eXcelon™3技术

超高速读出和光谱动力学

PI-MAX4®通过增强型CCD（ICCD）或增强型EMICCD（emICCD）系统改善了时间分辨成像和光谱应用。由于应用范围广泛，如等离子体诊断、燃烧和量子计算，没有其他ICCD可以匹敌PI-MAX 4的性能和灵活性。

<500 ps选通

1 MHz持续增强器选通重复频率

>10,000光谱/秒

终极的灵敏度

使用emICCD的最高线性度

NIRvana®旨在提供空前的性能，用于在SWIR波长范围内进行成像。多功能的科学INGAAS摄像机，两种高速成像，具有100秒的FPS以及超低的深色噪声，可长期暴露于极弱的信号。

成像阵列 640 x 512 pixels

像素尺寸20 μm x 20 μm

CCD成像面积12.8 mm x 10.24 mm

支持界面GigE

Pylon®-IR是一种无控制器，低温冷却的Ingaas阵列，旨在用于定量的科学光谱应用，要求具有最高的灵敏度。 Pylon-IR是高性能，近红外和SWIR光谱的理想相机。
800 – 2200 nm的光谱覆盖范围

-100℃低温冷却

6600光谱/秒

16位数字化

1024 x 1像素的线性InGaAs阵列（欲了解二维阵列，请查看NIRvana产品）

鑫图Aries 16实现了背照式sCMOS相机灵敏度性能的重大突破。采用的16微米超大像元设计方案，灵敏度较典型的6.5μm像元提升超5倍，弱光探测能力大幅提升；读出噪声低至0.9 e-，可以在等效速度上取代EMCCD相机，应用于光子能量级的极限信号探测领域，且不受乘性噪声、增益老化等因素影响，具有更高动态范围优势。

16 μm x 16 μm
0.9 e- 读出噪声
90 % Peak QE
800 (H) x 600 (V)
USB 3.0 & CameraLink

Dhyana 95 V2 ( 简称：95 V2) 背照式sCMOS 相机灵敏度可媲美EMCCD 相机。它不仅拥有95% 峰值量子效率，而且不受信号漂移、增益老化和倍增增益噪声等影响，成像速度更快，动态范围更高，在极限弱光成像领域越来越受欢迎。

95% QE @ 560 nm
11 μm × 11 μm
2048 (H) x 2048 (V)
48 fps @ 12 bit
CameraLink & USB3.0

Dhyana 400BSI V3 ( 简称：400BSI V3) 背照式sCMOS 相机是高NA 显微镜的理想选型。它不仅很好地平衡了高空间采样率和高灵敏度的需求，还实现了100 帧/ 秒的关键突破，轻量化、低功耗的机身设计更加有利于仪器系统整合。

95% QE @ 600nm
6.5 μm × 6.5 μm
2048 (H) x 2048 (V)
100fps @ 4.2MP
CameraLink & USB3.0